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今天分享的是：2025年第三代半导体SiC GaN产业链研究报告-深企投

报告共计：74页

2025年第三代半导体SiC/GaN产业链研究报告指出，第三代半导体以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，与前两代相比，具有宽禁带、高击穿电场等优势，适用于高温、高频等场景。碳化硅在新能源汽车、光伏等领域应用广泛，2023年全球碳化硅功率器件市场规模达27.46亿美元，预计到2029年达98.73亿美元，国内企业在衬底、器件等环节国产化率提升，天科合达、天岳先进等企业在全球市场占据一定份额。氮化镓在消费电子快充、5G通信等领域应用成熟，正向电动汽车、数据中心等领域渗透，2023年全球氮化镓功率器件市场规模2.602亿美元，预计2029年达20.1亿美元，英诺赛科等国内企业在全球市场表现突出。设备方面，碳化硅设备部分环节国产化率提升，如单晶炉、外延炉等，氮化镓设备仍依赖进口，MOCVD等核心设备主要由国外厂商主导，国内企业正积极推进国产替代。

以下为报告节选内容

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发布于：广东省

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